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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » Wieso muss das Gateoxid bei MOSFETs dünn sein?
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Universität/Hochschule J Wieso muss das Gateoxid bei MOSFETs dünn sein?
Troll
Aktiv Letzter Besuch: im letzten Quartal
Dabei seit: 06.01.2007
Mitteilungen: 765
  Themenstart: 2010-07-06

Hallo Ich frage mich gerade, wieso die Dicke des Gateoxids bei MOSEFETs so dünn sein muss. Auf Wikipedia habe ich nur gelesen, dass sogenannte high k Dielektrika verwendet werden, um die Durchschlagsfestigkeit des Gateoxids zu erhöhen, dann könnte man doch aber auch einfach das Oxid etwas dicker machen? Die Gate Länge muss kurz sein, weil damit die Transitzeit verkürzt und somit ein schnelles Umschaltverhalten erreicht wird, gibt es für die Dicke des Oxids eine ähnliche Überlegung? Danke und Grüsse, Troll [ Nachricht wurde editiert von Troll am 06.07.2010 11:12:24 ]

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beronir
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Dabei seit: 24.08.2010
Mitteilungen: 22
  Beitrag No.1, eingetragen 2010-08-24

Hi, meine Überlegung wäre, dass die Schicht deshalb dünn sein sollte, da sonst der Effekt zu klein wäre, da die Coulomb Kraft ja mit 1/r abnimmt und daher würde sich nach meiner Vorstellung ein dünneres Leitungband an dem Gate bilden wenn der Isolator dicker wäre. Muss nicht stimmen wäre aber meine Verstellung dazu Gruß beronir

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Berufspenner
Senior Letzter Besuch: in der letzten Woche
Dabei seit: 13.11.2003
Mitteilungen: 3299
Wohnort: Hamburg, z.Zt. Hannover
  Beitrag No.2, eingetragen 2014-08-31

Die immer geringere Dicke des Gateoxids ist eine Folge der stetigen Miniaturisierung der Bauelementestruktur und führt zu eher ungewollten Effekten. Zum einen erhöht sich die MOS Kapazität, was die Schaltzeit erheblich reduziert. Zum anderen erhöhen sich die Leckströme auf Grund der wachsenden Tunnelwahrsvheinlichkeit durch das Oxid. Daher geht der Trend zu anderen Materialien. [Verschoben aus Forum 'Festkörperphysik' in Forum 'Halbleiterphysik' von Berufspenner]

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