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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » Akzeptor- und Donatorniveau
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Universität/Hochschule J Akzeptor- und Donatorniveau
broetchen
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  Themenstart: 2015-01-13

Hi, Ich hoffe ihr könnt mir wie immer behilflich sein. Ich habe eine Verständnis-Frage bezüglich des Akzeptor- bzw Donatorniveaus. Berechnet werden diese ja mit Hilfe der Energieniveaus des Wasserstoffatoms im Bohrschen Modell. Jetzt meine Frage: In den Büchern/Skripten die ich bis jetzt dazu durchstöbert habe wird immer nur vom Grundzustand, also n=1 ausgegangen. Gibt es nur dieses Niveau oder auch die anderen, sprich n=2,n=3 etc und werden nur deshalb nicht "beachtet" weil sie unterhalb (bei Akzeptoren) bzw oberhalb (bei Donatoren) des Energieniveaus des Grundzustands liegen? Oder werden diese Zustände nicht angenommen? Falls das Zutrifft wieso? Ich hoffe ich konnte mich verständlich machen :) Danke schonmal für eure Antworten!


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  Beitrag No.1, eingetragen 2015-01-13

Moin Natürlich kann man über die Nährung des Wasserstoffatoms, unter Berücksichtigung der effektiven Masse des jeweiligen Bandes und der Dielektrizitätszahl des Materials, nochweitere Zustände bestimmen. In der Praxis sind diese aber eher uninteressant. Für Silizium z.B. liegt das Grundniveau ca. 30 meV unter der Leitungsbandkante. Bei Raumtemperatur sind diese Zustände aber schon fast vollständig ionisiert (ca. 25 meV). Um weitere Niveaus zu sehen muss man die Probe also entweder runterkühlen oder zu einer Quantenstruktur übergehen. Da sieht man z.B. bei einer 2D Struktur schon bei üblichen Temperaturen exitonische Zustände. EDIT: Natürlich hängen die Donator-/Akzeptorniveaus auch von dem Dotierstoff ab. Da man aber weiterhin eine $\frac{1}{n^2}$ abhängigkeit der Niveaus annehmen kann, sind die weiteren Niveaus sehr dicht beieinander und liegen meist dennoch schon im Leitungs- bzw. Valenzband.


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