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| Autor |
  Bändermodell eines npn-Transistors |
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Ehemaliges_Mitglied
 |  Themenstart: 2017-06-11
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Folgende Aufgabenstellung:
Gegeben sei ein npn-Transistor mit
U_{eb} = U_{cb} = 0
N_{De} : N_{Ab} : N_{Dc} = 100 : 10 : 1
Meine Aufgabe ist es nun, die Raumladungsdichte, die Feldstärke und das Bändermodell zu skizzieren. Ich bin mir relativ sicher, dass ich die Raumladungsdichte und die Feldstärke richtig skizziert habe.
http://matheplanet.com/matheplanet/nuke/html/uploads/b/38113_Aufgabe_ElBa11.jpg
Da log(100) = 2 und log(10) = 1, ist die Dotierungskonzentration N_D_e = 2* N_A_b und die RLZ breitet sich in der Basis doppelt so weit aus wie im Emitter.
Zum Bändermodell habe ich folgende Frage:
Der Bandabstand vom Leitungsband im n-HL zum Leitungsband im p-HL ist beim Emitter zur Basis größer als beim Kollektor zur Basis. Das müsste an der Formel zur Berechnung der Diffusionsspannung liegen:
U_D = (kT)/q ln((N_D N_A)/n_i^2)
Gilt dabei:
U_D_{be} = U_D_{eb}
U_D_{bc} = U_D_{cb}
? Oder ist die Richtung der Diffusionsspannung hier wichtig und wenn ja, warum?
http://matheplanet.com/matheplanet/nuke/html/uploads/b/38113_Aufgabe_ElBa21.jpg
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Dabei seit: 13.11.2003
Mitteilungen: 3298
Wohnort: Hamburg, z.Zt. Hannover
 | Beitrag No.1, eingetragen 2017-06-13
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Moin
Der Bandverlauf ist eine Folge der ungleich starken Dotierung in den verschiedenen Bereichen. Ausschlaggebend ist ist das Fermi-Niveau, das im thermischen Gleichgewicht, also ohne ein externes Feld, in alle Regionen gleich sein muss. Da das Fermi-Niveau sich aber auf Grund der Dotierung von seinem intrinsischen Bereiche, etwa in der Mitte der Bandlücke, hin zur Leitungsbandkante (n-Dotierung) oder hin zu Valenzbandkanke (p-Dotierung) verschiebt, kommt es am pn-Übergang zu unterschiedlich starker Bandverbiegung. Der Emitterbereich ist viel Stärker n-dotiert, als der Kollektorbereich (100:1), so dass im Emitterbereich das Fermi-Niveau viel näher an der Bandkante liegt, als im Kollektorbereich. Dadurch kommt es im Emitterbereich zu einer größeren Bandverbiegung beim Emitter-Basis-Übergang, als beim Basis-Kollektor-Übergang.
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Ehemaliges_Mitglied
| Beitrag No.2, vom Themenstarter, eingetragen 2017-06-14
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ja, das macht Sinn, danke dir!
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Ehemaliges_Mitglied hat die Antworten auf ihre/seine Frage gesehen.
Ehemaliges_Mitglied hat selbst das Ok-Häkchen gesetzt. |
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