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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » Ladungsträgerdichte Halbleiter
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Universität/Hochschule J Ladungsträgerdichte Halbleiter
kuckuck3
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  Themenstart: 2022-07-31

Hallo, ich bin bei folgender Aufgabe nicht sicher: Wofür gilt der Ausdruck für die Ladungsträgerdichte \( n = \int_{E_c} ^\infty D(E) f(E) dE \) 1. undotierte Halbleiter 2. entartet dotierte Halbleiter 3. nicht-entartet dotierte Halbleiter Hinweis: Es können auch mehr als eine Antwort richtig sein. Ich bin ziemlich sicher, dass 1. richtig ist, aber bei 2. und 3. bin ich unsicher. Was denkt ihr? Viele Dank im Voraus und beste Grüße kuckuck3


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  Beitrag No.1, eingetragen 2022-07-31

Moin Was unterscheidet denn die drei Fälle und wie müsste sich das gegebenenfalls in dem Ausdruck für die Ladungsträgerdichte bemerkbar machen?


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kuckuck3
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  Beitrag No.2, vom Themenstarter, eingetragen 2022-08-02

Ich bin nicht sicher, was du genau meinst. Aber ich denke, dass sich bei entarteten Halbleitern (Falls die Fermi-Energie im Leitungsband liegt, also \( E_F \geq E_C \)) das Integral folgendermaßen ändern müsste: \( n = \int_{E_F} ^\infty D(E) f(E) dE \) Aber wie ich die Dotierung mit ins Integral bringe weiß ich nicht. Viele Grüße kuckuck3


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Folgende Antworten hat der Fragensteller vermutlich noch nicht gesehen.
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  Beitrag No.3, eingetragen 2022-08-03

Moin \quoteon(2022-08-02 22:02 - kuckuck3 in Beitrag No. 2) Aber ich denke, dass sich bei entarteten Halbleitern (Falls die Fermi-Energie im Leitungsband liegt, also \( E_F \geq E_C \)) das Integral folgendermaßen ändern müsste: \( n = \int_{E_F} ^\infty D(E) f(E) dE \) \quoteoff Im Wesentlichen wollte ich genau darauf hinaus. Der Ausdruck für die Ladugnsträgerdichte ist hier allgemein gefasst und beschreibt ja lediglich das Integral über dem Produkt aus Zustandsdichte und Fermi-Verteilung. Das Ergebnis kann für den 3D bis 0D Fall ja sehr unterschiedlich aussehen. Für die Unterscheidung von intrinsisch, entartet und nicht-entartet dotiert ist hier allerdings wirklich die Integrationsgrenze entscheidend.


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