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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » Halbleiter: Bandstruktur eines Hochfrequenztransistors
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Universität/Hochschule J Halbleiter: Bandstruktur eines Hochfrequenztransistors
Spieder
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  Themenstart: 2007-09-14

Guten Abend, ich hätte mal eine Frage im Bezug auf die Bandstruktur eines Hochfrequenztransistors: Wie muss diese aussehen, damit ein möglichst "guter" Transisotr entsteht, und wonach richtet sich das vor allem? Also kommt es auf direkten/indirekten Bandübergang, große Energiedifferenz, die Geschwindigkeit an?

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Spieder
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  Beitrag No.1, vom Themenstarter, eingetragen 2007-09-17

Hat keiner eine Antwort für mich?

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John_Matrix
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  Beitrag No.2, eingetragen 2007-09-17

Hallo Spieder, bei Hochfrequenztransistoren will man die Mobilitaet der Elektronen (welche die der Loecher generell uebersteigt) maximieren. Eine geringe effektive Elektronenmasse ist also von Vorteil. Es mag aber noch andere Faktoren geben, die hierzu entscheidend beitragen. Gruss, John Matrix

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Folgende Antworten hat der Fragensteller vermutlich noch nicht gesehen.
Er/sie war noch nicht wieder auf dem Matheplaneten
Berufspenner
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  Beitrag No.3, eingetragen 2014-08-16

Grundsätzlich bedient man sich hier der HEMT-Struktur (high electron mobility transistor).

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