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pn-Übergang: Minoritäts- / Majoritätsträger; Dichtestörungen |
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Spieder
Ehemals Aktiv  Dabei seit: 26.10.2006 Mitteilungen: 99
 | Themenstart: 2008-02-02
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Hallo,
habe ein Problem bei einem pn Übergang...
Aufgabenstellung wie folgt: Ich bestrahle einen n halbleiter mit Licht, so dass ein Minoritätsträgerdichteüberschuss im Gebiet x < 0 aufrecht erhalten wird. Dieser Überschuss wird in x > o entsprechend abgebaut.
Die Einleitungsfrage ist, wodurch diese Minoritätsladungsträgerstörung im Gegensatz zu einer Majoritätsladungsträgerstörung abgebaut wird...
Wie ist denn da die Lösung? Mir war bisher nicht bekannt, das sich z.B. Drift und Diffusion oder Generation/Rekombination auf eine spezielle Dichtestörgun beschränken?
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