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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » Abstand zweier Dotieratome
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Universität/Hochschule Abstand zweier Dotieratome
tester101
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  Themenstart: 2008-02-12

Hallo, GaAs liegt ja als Festkörper in der kubischen Zinksulfidstruktur vor. Wo ordnen sich nun Dotieratome (wie z.B. Si) in diesem System an (z.B. auf Zwischengitterplätzen)? Ich möchte berechnen wie gross der Abstand zweier Dotieratome bei einer bestimmten Dotierung des GaAs ist. Besten Dank im vorraus.

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tester101
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  Beitrag No.1, vom Themenstarter, eingetragen 2008-02-13

Weis jemand welche Plätze Dotieratome im GaAs einnehmen ?

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jacha
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Dabei seit: 31.07.2007
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  Beitrag No.2, eingetragen 2008-02-13

Salve nur theoretisch. Da Ga und As von den Rumpfradien vergleichbar und beide leicht über dem von Si liegen (0,124, 0,126 und 0,111 nm), ist es wohl ein von der Statistik regiertes Geschehen. Zunächst aber sind sie - nach Ionenimplantation jedenfalls - wohl vorwiegend auf Zwi'Gi-Plätzen und entsprechend elektrisch inaktiv. D.h., es kommt wohl auf die nachfolgende Prozeßführung an, was passiert und von der durch andere Heteroatome hervorgerufenen La'trä'konz. Ave

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Folgende Antworten hat der Fragensteller vermutlich noch nicht gesehen.
jacha
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Dabei seit: 31.07.2007
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  Beitrag No.3, eingetragen 2008-02-21

Salve II welche Plätze Heteroatome in einem binären Hl einnehmen, richtet sich nach Art der Bindung, die sie eingehen können und nach dem Größenverhältnis der Rumpfradien. Si wird vorwiegend (nach dem thermal anneal) auf Ga-Plätzen landen und dort als Elektronendonor wirken. Die Thermodynamik hat nicht das alleinige Sagen. Insoweit muß ich den I. Beitrag korrigieren. Würde Si auf As-Plätzen landen, erhielte man einen p-Hl. Das Ganze sollte sich also durch weiteres (maskiertes) Auftragen von stark dotierten Donatoren und Akzeptoren und I(U)-Kennlinienbestimmung eingrenzen lassen. Ave II cool

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