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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » MOSFET-pinch-off
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Kein bestimmter Bereich J MOSFET-pinch-off
wolfgang6444
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  Themenstart: 2018-04-29

Ich verstehe die Physik des pinch-off im MOS-FET bei Saettigung nicht: Nehmen wir einen N-kanal-FET: Bei hinreichend hoher gate-Spannung wird das Substrat (zumindest nahe am Source) invertiert (n-leitend) und die Elektronen koennen von der source aus als Majoritaeten als Feldstrom Richtung Drain fliessen. Das Potential im Kanal steigt aber in Richtung Drain und irgendwann reicht die Spannungsdifferenz Gate-Kanal fuer eine Inversion nicht mehr aus und es entsteht eine Verarmungszone. Warum fliesst der Elektronen-Strom durch diese Verarmungszone? Ich haette argumentiert wir haben (vom source aus) eine Schichtenfolge N(source) - N (Kanal) P(pinch-off-Bereich) N(drain). Das sollte doch sperren. Was ist an meiner Analogie falsch? Wolfgang

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Folgende Antworten hat der Fragensteller vermutlich noch nicht gesehen.
Er/sie war noch nicht wieder auf dem Matheplaneten
Berufspenner
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  Beitrag No.1, eingetragen 2018-04-30

Moin und willkommen im Forum \quoteon(2018-04-29 16:06 - wolfgang6444 im Themenstart) Warum fliesst der Elektronen-Strom durch diese Verarmungszone? \quoteoff Weil sie durch die hohe Spannungsdifferenz im verkürzten Inversionskanal immer noch so stark beschleunigt werden, dass sie durch die Raumladungszone durch driften können.

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