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Festkörperphysik » Halbleiterphysik » Bandverbiegung im MOS
Autor
Universität/Hochschule J Bandverbiegung im MOS
math_wal
Neu Letzter Besuch: vor mehr als 3 Monaten
Dabei seit: 25.06.2021
Mitteilungen: 2
  Themenstart: 2021-06-25

Liebe Mitglieder dieses Forums, ich beschäftige mich momentan mit den fundamentalen Aussagen der Metall-Oxid-Halbleiter (MOS). Dabei stellt sich mir die Frage, wie es konkret zur Erhöhung / Absenkung der Energiebänder an der Grenzfläche zum Oxid kommt, wenn eine Spannung zwischen Metall und Halbleiter angelegt wird. Mir ist bewusst, dass es zu Ladungsansammlungen / Landungszonenausbildung kommt, aber wie hängt dies mit der Verbiegung der Bänder zusammen?

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AlphaSigma
Senior Letzter Besuch: in der letzten Woche
Dabei seit: 23.11.2012
Mitteilungen: 412
  Beitrag No.1, eingetragen 2021-06-26

Hallo math_wal, bei Heterostrukturen und Halbleiter/Isolator-Übergängen bestimmt sich der Bandverlauf u.a. aus den Austrittsarbeiten der verschiedenen Materialien, der Ladungsneutralität und der angelegten äußeren Spannung. Hier ist das z.B. genauer beschrieben: MOS capacitor

   Profil
math_wal
Neu Letzter Besuch: vor mehr als 3 Monaten
Dabei seit: 25.06.2021
Mitteilungen: 2
  Beitrag No.2, vom Themenstarter, eingetragen 2021-06-27

Danke für die schnelle Antwort! Die Literatur war sehr hilfreich. Beste Grüße, math_wal

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math_wal hat die Antworten auf ihre/seine Frage gesehen.
math_wal hat selbst das Ok-Häkchen gesetzt.

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